Поиск
Закрыть окно поиска.
логотип onepointech
Зарядное устройство на основе нитрида галлия

Китайский завод по производству GaN-зарядных устройств

GaN-зарядные устройства - это тип зарядных устройств, в которых для повышения эффективности зарядки устройств используется нитрид галлия, представляющий собой соединение азота и галлия. GaN-зарядные устройства имеют ряд преимуществ перед традиционными зарядными устройствами, в том числе способность заряжать устройства быстрее и с меньшим нагревом. Кроме того, GaN-зарядные устройства имеют меньшие размеры и вес.

ONE POINTECH является поставщиком GaN-зарядных устройств в Китае. У нас есть коммерческие GaN-зарядные устройства мощностью 33 Вт, 35 Вт, 45 Вт, 65 Вт, 100 Вт. Кроме того, у нас есть такие источники питания для GaN-зарядных устройств, как Зарядное устройство мощностью 130 Вт на основе GaNЗарядное устройство мощностью 180 Вт на основе GaN, и Зарядное устройство мощностью 200 Вт на основе GaN для различных областей применения.  

Свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы узнать больше о том, как мы можем помочь в реализации ваших проектов по созданию GaN-зарядных устройств.

МОЩНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Преимущества зарядных устройств на основе нитрида галлия

Зарядные устройства на основе GaN обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными зарядными устройствами, в том числе более быстрое время зарядки, меньшие габариты и вес, повышенная эффективность и лучший отвод тепла. Эти преимущества обусловлены свойствами нитрида галлия (GaN), которые позволяют обеспечить более высокую мощность и скорость переключения по сравнению с зарядными устройствами на основе кремния.

Ускоренное время зарядки

Меньшие размеры и вес

Повышение эффективности

Улучшенное рассеивание тепла

ДЛЯ ТЕЛЕФОНОВ, ПЛАНШЕТОВ И НОУТБУКОВ

коммерческие GaN-зарядные устройства

Технология GaN позволяет ускорить процесс зарядки, минимизировать потери энергии и уменьшить габариты и вес зарядного устройства по сравнению с традиционными зарядными устройствами. В компании "ОДИН ПОИНТЕХ" мы предлагаем ряд GaN-зарядных устройств, предназначенных для коммерческого использования, каждое из которых обладает уникальными характеристиками, отвечающими различным потребностям. Среди наших моделей Зарядное устройство Quick Charge 3.0 GaN, зарядное устройство PD GaN, двойное зарядное устройство USB-C GaN и многопортовое зарядное устройство GaN.

Ниже приведено несколько примеров из нашего каталога. Связаться с нам, чтобы получить все модели изделий.

Зарядное устройство 45w gan 2c1a

Зарядное устройство GaN мощностью 45 Вт

Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP

Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 20V/2.25A
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C2 + USB-A: 15 Вт 15W
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт 25 ВТ + 15 ВТ
Зарядное устройство мощностью 50 Вт

Зарядное устройство GaN мощностью 50 Вт

Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP

Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 20V/2.25A
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C2 + USB-A: 15 Вт 15W
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт 25 ВТ + 15 ВТ
Зарядное устройство 65w gan

Зарядное устройство GaN мощностью 65 Вт

Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP

Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A , 20V/1.8A
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C2 + USB-A: 15 Вт 15W
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт 25 ВТ + 15 ВТ
Зарядное устройство мощностью 100 Вт

Зарядное устройство GaN мощностью 100 Вт

Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP

Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/2A, 12V/1.5A
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C2 + USB-A: 15 Вт 15W
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт 25 ВТ + 15 ВТ
Зарядное устройство 140w gan

Зарядное устройство GaN мощностью 140 Вт

Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP

Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. 5V/4.5A, 9V/2A, 12V/1.5A
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт 25 ВТ + 20 ВТ
Type-C2 + USB-A: 15 Вт 15W
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт 25 ВТ + 15 ВТ
ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРИМЕНЕНИЙ

Промышленные источники питания GaN

Источники питания на основе полупроводниковой технологии GaN (нитрид галлия) отличаются меньшими размерами, более высокой эффективностью и надежностью по сравнению с традиционными источниками питания на кремниевых транзисторах. Источники питания на основе GaN способны работать с более высокими напряжениями и частотами переключения, что приводит к увеличению плотности мощности и снижению тепловыделения. Благодаря улучшенной терморегуляции источники питания на основе GaN могут более эффективно работать при более высоких температурах и в жестких условиях эксплуатации. Кроме того, снижение энергопотребления и увеличение плотности мощности приводят к уменьшению форм-фактора и веса, что делает их идеальными для использования в портативных устройствах и малогабаритной электронике.

Адаптер питания 65 Вт GaN

Адаптер питания 65 Вт GaN

Это 65-ваттное (19 В 3,42 А) GaN-зарядное устройство, созданное по GaN-технологии с применением пайки оплавлением, достигает поразительной эффективности при 92%. Низкое энергопотребление в режиме ожидания и компактные размеры делают его экологичным и портативным решением для зарядки.

Зарядное устройство мощностью 65 Вт на основе GaN

Адаптер GaN QR мощностью 65 Вт
ITEMПАРАМЕТРБРЭНД
Размер45x35x25 мм
ТопологияQR
Основная частота коммутации120~220 КГц
Трубка главного выключателя QRXG6515A5
Микросхема главного выключателя QRUCC28056TI
Синхронное выпрямлениеNCP4306ON Semiconductor
Низковольтные МОП вторичной обмоткиHGN090N06SLHunteck Semiconductor
Испытание на эмиссию электромагнитного излученияПройти
Поддержка массового производстваДа

Зарядное устройство мощностью 130 Вт на основе GaN (PFC+LLC)

Зарядное устройство GaN мощностью 130 Вт
ITEMПАРАМЕТРБРЭНД
Размер67*65*25 мм
ТопологияООО+ПФК
Трубка главного переключателя КРМXG6508B8XG GaN
Диод PFCXD6504DXG SiC
Микросхема главного переключателя КРМUCC28056TI
Трубка главного выключателя LLC (x2)XG6508B8XG GaN
Синхронное выпрямлениеNCP4306ON Semiconductor
Низковольтные МОП вторичной обмоткиHGN090N06SLHunteck Semiconductor
Испытание на эмиссию электромагнитного излученияПройти
Поддержка массового производстваДа

Зарядное устройство мощностью 180 Вт на основе GaN (PFC+LLC)

Зарядное устройство GaN мощностью 180 Вт
ITEMПАРАМЕТРБРЭНД
Размер80*65*25 мм
ТопологияООО+ПФК
Максимальная эффективность>95%
Трубка главного переключателя КРМXG6508B8XG GaN
Диод PFCXD6504DXG SiC
Микросхема главного переключателя КРМNCP1616A1ON Semiconductor
Трубка главного выключателя LLC (x2)XG6508B8XG GaN
Микросхема главного выключателя LLCNCP13992ABON Semiconductor
Синхронное выпрямлениеNCP4306ON Semiconductor
Низковольтные МОП вторичной обмоткиHGN090N06SLHunteck Semiconductor
Испытание на эмиссию электромагнитного излученияПройти
Поддержка массового производстваДа

Зарядное устройство мощностью 200 Вт на основе GaN (PFC+LLC)

Зарядное устройство для GaN БП мощностью 200 Вт
ITEMПАРАМЕТРБРЭНД
Размер80*65*25 мм
ТопологияООО+ПФК
Максимальная эффективность>95%
Трубка главного переключателя КРМXG6508B8XG GaN
Диод PFCXD6504DXG SiC
Микросхема главного переключателя КРМNCP1616A1ON Semiconductor
Трубка главного выключателя LLC (x2)XG6508B8XG GaN
Микросхема главного выключателя LLCNCP13992ABON Semiconductor
Синхронное выпрямлениеNCP4306ON Semiconductor
Низковольтные МОП вторичной обмоткиHGN090N06SLHunteck Semiconductor
Испытание на эмиссию электромагнитного излученияПройти
Поддержка массового производстваДа
Источник питания Адаптер питания

Производство источников питания на заказ

Компания Onepointech специализируется на создании индивидуальных источников питания. Наш опыт выходит за рамки обычных источников питания и охватывает самые современные решения в области электропитания на основе GaN. Наши возможности охватывают механическое и электрическое проектирование, разработку печатных плат, соблюдение требований безопасности и многое другое, обеспечивая комплексные и индивидуальные решения в области электропитания.

ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ

Требуется уточнение по GaN-зарядным устройствам?

Да, мы предлагаем бесплатные образцы для квалифицированных клиентов. Пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы вышлем вам образец бесплатно.

Для коммерческих GaN-зарядных устройств наше MOQ составляет 1000 шт. для заказных изделий и 100 шт. для стандартных изделий.

Срок поставки зависит от вида продукции. Для продукции, изготовленной по индивидуальному заказу, это займет от 3 до 8 недель после получения оплаты. Для стандартных изделий - 2-4 недели после получения оплаты.

Да, как китайский завод по производству зарядных устройств, мы можем выполнить OEM/ODM. Если у вас есть собственный чертеж или идея, пожалуйста, свяжитесь с нами. Наши инженеры будут рады помочь вам в разработке зарядного устройства.