Китайский завод по производству GaN-зарядных устройств
GaN-зарядные устройства - это тип зарядных устройств, в которых для повышения эффективности зарядки устройств используется нитрид галлия, представляющий собой соединение азота и галлия. GaN-зарядные устройства имеют ряд преимуществ перед традиционными зарядными устройствами, в том числе способность заряжать устройства быстрее и с меньшим нагревом. Кроме того, GaN-зарядные устройства имеют меньшие размеры и вес.
ONE POINTECH является поставщиком GaN-зарядных устройств в Китае. У нас есть коммерческие GaN-зарядные устройства мощностью 33 Вт, 35 Вт, 45 Вт, 65 Вт, 100 Вт. Кроме того, у нас есть такие источники питания для GaN-зарядных устройств, как Зарядное устройство мощностью 130 Вт на основе GaN, Зарядное устройство мощностью 180 Вт на основе GaN, и Зарядное устройство мощностью 200 Вт на основе GaN для различных областей применения.
Свяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы узнать больше о том, как мы можем помочь в реализации ваших проектов по созданию GaN-зарядных устройств.
Преимущества зарядных устройств на основе нитрида галлия
Зарядные устройства на основе GaN обладают рядом преимуществ по сравнению с традиционными зарядными устройствами, в том числе более быстрое время зарядки, меньшие габариты и вес, повышенная эффективность и лучший отвод тепла. Эти преимущества обусловлены свойствами нитрида галлия (GaN), которые позволяют обеспечить более высокую мощность и скорость переключения по сравнению с зарядными устройствами на основе кремния.
Ускоренное время зарядки
Меньшие размеры и вес
Повышение эффективности
Улучшенное рассеивание тепла
коммерческие GaN-зарядные устройства
Технология GaN позволяет ускорить процесс зарядки, минимизировать потери энергии и уменьшить габариты и вес зарядного устройства по сравнению с традиционными зарядными устройствами. В компании "ОДИН ПОИНТЕХ" мы предлагаем ряд GaN-зарядных устройств, предназначенных для коммерческого использования, каждое из которых обладает уникальными характеристиками, отвечающими различным потребностям. Среди наших моделей Зарядное устройство Quick Charge 3.0 GaN, зарядное устройство PD GaN, двойное зарядное устройство USB-C GaN и многопортовое зарядное устройство GaN.
Ниже приведено несколько примеров из нашего каталога. Связаться с нам, чтобы получить все модели изделий.
Зарядное устройство GaN мощностью 45 Вт
Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP
Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A |
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A |
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 20V/2.25A |
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C2 + USB-A: 15 Вт | 15W |
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт | 25 ВТ + 15 ВТ |
Зарядное устройство GaN мощностью 50 Вт
Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP
Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A |
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/2.25A PPS: 3,3V-11V/4A |
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 20V/2.25A |
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C2 + USB-A: 15 Вт | 15W |
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт | 25 ВТ + 15 ВТ |
Зарядное устройство GaN мощностью 65 Вт
Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP
Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A , 20V/1.8A |
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C2 + USB-A: 15 Вт | 15W |
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт | 25 ВТ + 15 ВТ |
Зарядное устройство GaN мощностью 100 Вт
Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP
Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/2A, 12V/1.5A |
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C2 + USB-A: 15 Вт | 15W |
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт | 25 ВТ + 15 ВТ |
Зарядное устройство GaN мощностью 140 Вт
Совместимый протокол: PD3.0/PPS/APPLE2.4A/AFC/FCP/SCP/QC3.0/QC2.0/Sumsung/DCP
Выход Type-C1 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход Type-C2 (один): 45 Вт макс. | 5V/3A, 9V/3A, 12V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A PPS: 3,3V-11V/5A |
Выход USB-A (один): 45 Вт макс. | 5V/4.5A, 9V/2A, 12V/1.5A |
Тип-C1 + Тип-C2: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C1 + USB-A: 25 Вт + 20 Вт | 25 ВТ + 20 ВТ |
Type-C2 + USB-A: 15 Вт | 15W |
Type-C1 + Type-C2 + USB-A: 25 Вт + 15 Вт | 25 ВТ + 15 ВТ |
Промышленные источники питания GaN
Адаптер питания 65 Вт GaN
Это 65-ваттное (19 В 3,42 А) GaN-зарядное устройство, созданное по GaN-технологии с применением пайки оплавлением, достигает поразительной эффективности при 92%. Низкое энергопотребление в режиме ожидания и компактные размеры делают его экологичным и портативным решением для зарядки.
Зарядное устройство мощностью 65 Вт на основе GaN
ITEM | ПАРАМЕТР | БРЭНД |
---|---|---|
Размер | 45x35x25 мм | |
Топология | QR | |
Основная частота коммутации | 120~220 КГц | |
Трубка главного выключателя QR | XG6515A5 | |
Микросхема главного выключателя QR | UCC28056 | TI |
Синхронное выпрямление | NCP4306 | ON Semiconductor |
Низковольтные МОП вторичной обмотки | HGN090N06SL | Hunteck Semiconductor |
Испытание на эмиссию электромагнитного излучения | Пройти | |
Поддержка массового производства | Да |
Зарядное устройство мощностью 130 Вт на основе GaN (PFC+LLC)
ITEM | ПАРАМЕТР | БРЭНД |
---|---|---|
Размер | 67*65*25 мм | |
Топология | ООО+ПФК | |
Трубка главного переключателя КРМ | XG6508B8 | XG GaN |
Диод PFC | XD6504D | XG SiC |
Микросхема главного переключателя КРМ | UCC28056 | TI |
Трубка главного выключателя LLC (x2) | XG6508B8 | XG GaN |
Синхронное выпрямление | NCP4306 | ON Semiconductor |
Низковольтные МОП вторичной обмотки | HGN090N06SL | Hunteck Semiconductor |
Испытание на эмиссию электромагнитного излучения | Пройти | |
Поддержка массового производства | Да |
Зарядное устройство мощностью 180 Вт на основе GaN (PFC+LLC)
ITEM | ПАРАМЕТР | БРЭНД |
---|---|---|
Размер | 80*65*25 мм | |
Топология | ООО+ПФК | |
Максимальная эффективность | >95% | |
Трубка главного переключателя КРМ | XG6508B8 | XG GaN |
Диод PFC | XD6504D | XG SiC |
Микросхема главного переключателя КРМ | NCP1616A1 | ON Semiconductor |
Трубка главного выключателя LLC (x2) | XG6508B8 | XG GaN |
Микросхема главного выключателя LLC | NCP13992AB | ON Semiconductor |
Синхронное выпрямление | NCP4306 | ON Semiconductor |
Низковольтные МОП вторичной обмотки | HGN090N06SL | Hunteck Semiconductor |
Испытание на эмиссию электромагнитного излучения | Пройти | |
Поддержка массового производства | Да |
Зарядное устройство мощностью 200 Вт на основе GaN (PFC+LLC)
ITEM | ПАРАМЕТР | БРЭНД |
---|---|---|
Размер | 80*65*25 мм | |
Топология | ООО+ПФК | |
Максимальная эффективность | >95% | |
Трубка главного переключателя КРМ | XG6508B8 | XG GaN |
Диод PFC | XD6504D | XG SiC |
Микросхема главного переключателя КРМ | NCP1616A1 | ON Semiconductor |
Трубка главного выключателя LLC (x2) | XG6508B8 | XG GaN |
Микросхема главного выключателя LLC | NCP13992AB | ON Semiconductor |
Синхронное выпрямление | NCP4306 | ON Semiconductor |
Низковольтные МОП вторичной обмотки | HGN090N06SL | Hunteck Semiconductor |
Испытание на эмиссию электромагнитного излучения | Пройти | |
Поддержка массового производства | Да |
Производство источников питания на заказ
Компания Onepointech специализируется на создании индивидуальных источников питания. Наш опыт выходит за рамки обычных источников питания и охватывает самые современные решения в области электропитания на основе GaN. Наши возможности охватывают механическое и электрическое проектирование, разработку печатных плат, соблюдение требований безопасности и многое другое, обеспечивая комплексные и индивидуальные решения в области электропитания.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Требуется уточнение по GaN-зарядным устройствам?
Предлагаете ли вы бесплатный образец?
Да, мы предлагаем бесплатные образцы для квалифицированных клиентов. Пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы вышлем вам образец бесплатно.
Какова ваша MOQ?
Для коммерческих GaN-зарядных устройств наше MOQ составляет 1000 шт. для заказных изделий и 100 шт. для стандартных изделий.
Каков срок поставки?
Срок поставки зависит от вида продукции. Для продукции, изготовленной по индивидуальному заказу, это займет от 3 до 8 недель после получения оплаты. Для стандартных изделий - 2-4 недели после получения оплаты.
Можете ли вы выполнить OEM/ODM?
Да, как китайский завод по производству зарядных устройств, мы можем выполнить OEM/ODM. Если у вас есть собственный чертеж или идея, пожалуйста, свяжитесь с нами. Наши инженеры будут рады помочь вам в разработке зарядного устройства.